Công nghệ bán dẫn
Silicon Carbide (SiC) là gì?
Silicon Carbide (SiC) là vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba thuộc nhóm "dải cấm rộng" (Wide Bandgap). Khác với Silicon (Si) truyền thống, SiC cần nhiều năng lượng hơn để dẫn điện — chính đặc tính này mang lại khả năng chịu điện áp cao, nhiệt độ cao và tần số chuyển mạch cao vượt trội.
Tại sao sản phẩm chuyên nghiệp cao cấp cần SiC?
- Chịu nhiệt tốt hơn ~3 lần: SiC dẫn nhiệt gấp khoảng 3 lần Silicon. Trong khi Silicon bắt đầu mất ổn định trên 150°C, SiC hoạt động tốt ở nhiệt độ cao hơn nhiều — cục đẩy chạy công suất lớn nhiều giờ vẫn ổn định.
- Tổn thất thấp hơn: SiC có tổn thất dẫn và tổn thất chuyển mạch thấp hơn Silicon, giúp hiệu suất tổng thể cao hơn — ít điện năng biến thành nhiệt vô ích.
- Độ bền điện áp gấp ~10 lần: cường độ điện trường đánh thủng của SiC cao gấp khoảng 10 lần Silicon, cho phép linh kiện bền bỉ và tin cậy hơn ở điện áp cao.
- Tản nhiệt nhẹ nhàng hơn: nhờ dẫn nhiệt tốt, thiết kế tản nhiệt gọn hơn mà vẫn mát — máy nhẹ và bền hơn.
KORAH sử dụng MOSFET SiC từ Onsemi (Hoa Kỳ) — một trong những nhà sản xuất bán dẫn SiC hàng đầu thế giới — trên các model cao cấp K19PRO, K20S và K20PLUS.
